الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP08CNE8N G
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP08CNE8N G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 85 V 95A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12800577
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP08CNE8N G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
85 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
95A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.4mOhm @ 95A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 130µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6690 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
167W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP08C
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
IPP08CNE8N G
ورقة بيانات HTML
IPP08CNE8N G-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
IPP08CNE8NGXK
IPP08CNE8NG
IPP08CNE8N G-DG
IPP08CNE8NGX
SP000096466
SP000680846
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK34E10N1,S1X
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
5
DiGi رقم الجزء
TK34E10N1,S1X-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN4R6-60PS,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
7843
DiGi رقم الجزء
PSMN4R6-60PS,127-DG
سعر الوحدة
1.15
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN009-100P,127
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
291
DiGi رقم الجزء
PSMN009-100P,127-DG
سعر الوحدة
1.44
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN5R0-80PS,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
23033
DiGi رقم الجزء
PSMN5R0-80PS,127-DG
سعر الوحدة
1.37
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN3R0-60PS,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4251
DiGi رقم الجزء
PSMN3R0-60PS,127-DG
سعر الوحدة
1.62
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
IPB65R150CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
IPB240N03S4LR9ATMA1
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
IPD082N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3